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一种NMOS高侧驱动电路
发明 已授权
本发明涉及一种NMOS高侧驱动电路,特别是涉及一种含有微控制器的、用于直流电源开、关控制的NMOS高侧驱动电路。包括微控制器电路、光电隔离电路、升压驱动电路、NMOS管、辅助电源电路、被控直流电源和被控负载或用电装置。在这种控制中NMOS管相当于电源开关,NMOS管饱和导通相当于开关闭合,NMOS管截止相当于开关断开,而一般NMOS管饱和导通需要栅极电位高于源极电位4V甚至10V以上,现有技术一般需要使用专用驱动芯片或升压变压器提供这个驱动电压,本发明利用系统本身含有的微控制器及常见电阻、电容等低成本元器件产生NMOS高侧驱动所需的驱动电压。这种NMOS高侧驱动电路具有电路简单、易于实现的特点,可以降低电路设计的复杂度,提升产品的性价比。
📄 2020111772082 📂 H03K17_567 👤 刘宝成 📅 2020-10-28
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发明 已授权

一种NMOS高侧驱动电路

2020111772082 · 刘宝成
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预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
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交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年