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本发明公开了一种基于前后景分离的任意位置短路电抗器磁场计算方法,涉及磁场仿真领域。包括获取同一型号电抗器在正常时和不同位置发生短路时有限元分析产生的磁场数据以及电抗器基本参数,将短路点坐标转换为短路点到边界的距离,再加上电流作为模型训练的输入,分别对背景磁场数据和短路点磁场数据进行主成分分析降维,得到的特征值作为训练的输出。本发明其将背景和短路点进行分离,只利用一个模型对电抗器任意位置发生短路时的磁场分布进行预测,而有限元分析需要对任意位置发生短路时的磁场进行分析,因此,本申请所提供的方法应用在短路电抗器磁场的仿真分析上能够大大缩减常用的有限元分析进行仿真的时间。
📄 2022105395492 📂 G06F30_23 👤 电子科技大学 📅 2022-05-17
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年