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本发明属于压敏材料领域，提供一种ZnO压敏陶瓷添加剂及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：1）将ZnO和Sb2O3以溶剂为介质球磨，获得浆料，其中ZnO和Sb2O3的摩尔比为1~14：1；2）将步骤1）得到的浆料进行烘干和煅烧，即得所述ZnO压敏陶瓷添加剂。本发明还进一步提供该ZnO压敏陶瓷添加剂及其应用。所述ZnO压敏陶瓷添加剂添加至制备ZnO压敏陶瓷的原料中，促进ZnO晶粒长大，降低压敏电压，保持压敏电阻低温烧结，并且能增大压敏陶瓷的非线性系数，ZnO压敏陶瓷烧结温度降低至850～900℃，材料的非线性系数α值可达91，压敏场强低至500~760V/mm。

本发明公开了一种具有高介电常数和频率稳定性的钛酸锶陶瓷的制备方法，包括以下步骤：取Sr(NO3)2加入去离子水充分溶解，得到溶液A，再向溶液A中滴入TiCl4，得到溶液B；取浓度为1mol/L～1.4mol/L的NaOH溶液加入溶液B，搅拌后得到乳白色悬浊液C；将悬浊液C转移至反应釜中，在188℃下反应12h得到产物D；(4)、将产物D在离心机中用去离子水进行离心洗涤至PH为中性，球磨，干燥后得到SrTiO3纳米粉体E；将SrTiO3纳米粉体E过128目筛后通过冷等静压机压成片状的钛酸锶陶瓷坯；将钛酸锶陶瓷坯进行烧结得到纯的钛酸锶陶瓷。提高了钛酸锶陶瓷的介电常数并降低了其介电损耗，使其具有较高的频率稳定性。

本发明公开了一种电容器介质瓷料及其制备方法，该瓷料的组分包括Ba[(Zr0.2Ti0.8)1‑xCex]O3、MgO及ZnO；该制法为以TiO(OH)2为活性基体，以(CH3COO)2Ba、(CH3COO)4Zr及Ce(NO3)4为包裹相，通过液相包裹法经烘干、煅烧制得主晶相粉体，随后将主晶相粉体与MgO及ZnO混合，经研磨、模压成型、烧结制得电容器介质瓷料。本发明通过B位复合型钙钛矿结构主晶相与二次改性剂的协同作用使瓷料不仅具有高介电常数、低介电损耗的特点，且由于弥散相变的诱发使介电常数温度变化率满足Y5V标准。

本发明涉及一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，所述陶瓷基板以微米α‑氧化铝为主相材料，纳米γ‑氧化铝为烧结助剂，加入合适的溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂等添加剂，通过流延成型后热压烧结的方法制备而成。所述制备工艺采用流延成型获得薄的生坯片叠层后先排胶，再对多层坯片施加梯度压力并进行热压烧结。由于采用生胚片先排胶后高温热压烧结的工艺，生胚片中有机添加剂在排胶过程中可完全排出，避免了常规直接叠片层压后排胶导致产生的气孔、间隙等缺陷以及气体残留，大大提高了陶瓷基板的致密度以及平整度。本发明的大尺寸高纯度陶瓷基板制备工艺所制备的陶瓷基板的致密度可达99%以上、密度可达3.9g/cm3以上。