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本发明公开了一种基于TSV垂直开关的压控振荡器，包括电源VDD，电源VDD通过导线连接有惠斯通电桥电感器M1和惠斯通电桥电感器M2的输入端，M1的输出端连接有变容器C1的输出端、MOS4的栅极、MOS3的漏极，M2的输出端连接有变容器C2的输出端、MOS3的栅极、MOS4的漏极，C1和C2的输入端连接有电容控制电源Vctr3，MOS3的源极通过导线与MOS4的源极、MOS5的漏极相连，MOS5的栅极通过导线电连接有偏置电源Vb，MOS5的源极接地。本发明通过TSV实现更短的互连线以降低功耗与延迟，通过TSV垂直开关的导通或关断以调节电感电路的电感值，配合变容器实现压控振荡器的频率调节。

本发明公开了一种C波段压控振荡器，包括用于改变谐振频率的负载电路、用于使整个电路振荡的晶体管电路、用于满足振荡条件的终端电路以及第一、第二匹配电路，所述负载电路经所述第一匹配电路连接所述晶体管电路，所述晶体管电路经所述第二匹配电路连接所述终端电路。本发明可以实现中心频率为C波段内任意一频点的压控振荡器，电路设计结构简单，成本较低，对加工精度要求不高，具有较高的性价比；另外还具有相噪低、调谐范围宽、线性度好、输出功率高、带内功率平坦等特点。

本发明属于无线通信技术领域，涉及压控振荡器，具体为一种新型结构的F23类压控振荡器；用以克服传统的F23类压控振荡器调谐过于复杂、有待进一步优化的问题。本发明F23类压控振荡器包括：第一谐振腔，交叉耦合管对及第二谐振腔；本发明相对于传统结构的F23类压控振荡器结构简单；将原有的变压器替换为电感，简化了电路的复杂度，在实际使用中降低了调谐的难度，使得压控振荡器更容易处于理想工作状态；同时，采用了一种新型电感结构，可以配合电容在奇次和偶次谐波输入时呈现不同的谐振峰，且随电容变化谐振峰比例不变；另外，本发明在mos管的漏极和源极分别形成基波、二三次谐波的方法，符合F23类压控振荡器的理论基础，有效分离了基波和谐波成分。

本发明属于无线通信技术领域，涉及锁相环中的电压控制振荡器(VCO)，具体为一种Class‑F压控振荡器。本发明包括：第一谐振腔，交叉耦合管对及第二谐振腔，其中，第一谐振腔谐振于ω1处，则第二谐振腔谐振于3ω1处；即采用两个分离的电感形成两个谐振腔的设计，将三次谐波与基波分离开来，在交叉耦合管漏源两极依然形成一个近似方波的波形；并且，本发明中两个谐振腔代替变压器结构，避免了反复调节变压器的尺寸来确保电路的性能需求，大大简化设计过程，使得实际设计更为方便；同时，本发明中去除了尾电流源与滤波电容，使电路结构更加简单，并且有效避免了由于尾电流源和滤波电容在电路中带入的相噪恶化的问题。

本发明公开了一种低相位噪声电感电容压控振荡器，该振荡器包括谐振腔和Q值增大级；所述的谐振腔包括由电感（L）、第三电容（C3）、第一电容（Cv1）、第二电容（Cv2），第四电容（C4）顺序连接组成的一个闭环，第一电阻（R1）、第二电阻（R2）串联连接后，其一端接在第三电容（C3）、第一电容（Cv1）之间，另一端接在第二电容（Cv2）、第四电容（C4）之间；所述Q值增大级包括由第零NMOS管（NM0）、第一NMOS管（NM1）、第二NMOS管（NM2）、第三NMOS管（NM3）组成的放大器，本发明压控振荡器具有相位噪声低、结构简单、芯片面积小等特点。

本发明的一种高速的环形压控振荡器由四级延迟单元串联组成，其中每一级延迟单元的负输出端（Vout-）接下一级延迟单元的正输入端（Vin+），每一级延迟单元的正输出端（Vout+）接下一级延迟单元的负输入端（Vin-）；最后一级延迟单元的负输出端（Vout-）接至第一级延迟单元的负输入端（Vin-），最后一级延迟单元的正输出端（Vout+）接至第一级延迟单元的正输入端（Vin+）。本发明在传统的延迟单元基础上增加有源电感结构，负载端增加一对栅极接地的PMOS管，保证了电路在整个电压范围振荡，为电路提供额外的电流，提高了振荡频率。延迟单元的频率控制通过将控制电压接到一对PMOS管的栅极实现，该PMOS管相当于压控电阻，起调节振荡频率作用。