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本发明公开了IQ双平衡FET阻性混频器,本振信号从本振正交耦合器输入,经过本振第一功放、本振第二功放,再经过两个并联的本振第一、第二巴伦,将本振信号转化为四个本振输出信号,分别连接四个本振阻抗匹配网络,用于两个双平衡FET阻性混频器;射频信号从射频巴伦输入,分别连接两个射频T型结功分器,将射频信号转化为四个平衡的输出端口,用于两个双平衡FET阻性混频器;从两个双平衡FET阻性混频器引出四个彼此相位差为90度的中频信号,改善了变频损耗和镜像抑制度,缩小镜频抑制混频器芯片部分的面积,降低成本。
📄 2022112147285 📂 H03D7_14 👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 📅 2022-09-30
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发明 已授权

一种IQ双平衡FET阻性混频器

2022112147285 · 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
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钙钛矿光伏组件技术

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