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本发明涉及三明治式石墨烯饱和吸收体及其制备方法，包括底层衬底材料、底层衬底材料上覆有的石墨烯层、和上层衬底材料，三层紧密接触呈三明治式结构，三明治式结构外周有密封胶均匀涂覆层。先在铜箔上沉积单层的石墨烯薄膜，利用湿法转移技术将石墨烯转移到透明的衬底材料上，然后取相同的衬底材料置于附有石墨烯的衬底材料之上，压紧，排除衬底材料之间的空气，将密封胶均匀的涂覆在衬底材料周围，制成三明治式的石墨烯饱和吸收体。本发明可避免石墨烯在激光照射下与氧气发生氧化反应，提高石墨烯的抗光伤阈值，最终提高脉冲激光的输出功率。

本发明公开了一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，包括以下步骤：(1)在硅基底上沉积金属导电层；(2)在金属导电层上附着AAO模板；(3)在金属导电层暴露的表面沉积得到金属催化点阵；(4)移除AAO模板，利用CVD技术在金属催化点阵上生长垂直石墨烯阵列，得阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极。本发明制备工艺简单，可大面积制备，得到的阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极开启电场低，场屏蔽效应小，电流密度较大，发射稳定性高。

本实用新型实施例提供的一种石墨烯鼠标垫，涉及石墨烯技术领域。该一种石墨烯鼠标垫，包括垫体以及设置在垫体侧端面的USB接口，USB接口的上表面的一侧设置有隔离片，垫体上表面的中央设置有工形收纳槽，工形收纳槽的内侧安装有工形架，通过连接弹簧的弹力得到释放，牵引滑柱沿着回形控位槽侧边的路径移动至低拐点位置，在牵引条杆的限位作用力下，升降块保持固定的提升高度，键盘则放置在工形架的上端，橡胶限位块对键盘的边角进行限位，键盘与垫体之间存在一定的空隙，通过再次轻压工形架，牵引滑柱顺着回形控位槽侧边的路径移动至侧拐点位置，牵引滑柱移至高拐点的位置，升降块保持固定的下降高度，工形架收入工形收纳槽的内部。

本发明提供了一种石墨烯场发射阴极，包括导电基板，结合在所述导电基板一表面的六方氮化硼纳米片薄膜，以及结合在所述六方氮化硼纳米片薄膜背离所述导电基板的表面的石墨烯发射薄膜。本发明提供的石墨烯场发射阴极，具有优异的电流发射稳定性。

本发明涉及材料合成技术领域，具体公开一种石墨烯透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述石墨烯透明导电薄膜的制备方法包括：a、甲烷作为碳源与保护气体混合后，进行化学气相沉积反应，在基底上形成石墨烯薄膜；b、在280℃‑300℃的真空条件下使所述石墨烯薄膜与低密度聚乙烯按100:1‑1.5的质量比熔融共混，得到共混物；c、在真空条件下，将所述共混物通过物理气相沉积法制备得到所述石墨烯透明导电薄膜。本发明提供的石墨烯透明导电薄膜的制备方法解决了通过气相沉积法制得的石墨烯薄膜表面会存在一些褶皱和不连续的问题，使石墨烯和聚乙烯形成的特殊复合薄膜兼具高透明度和高导电性。

本发明涉及石墨烯芯片加工技术领域，具体为一种石墨烯芯片加工筛选方法。一种石墨烯芯片加工筛选方法，外壳、第一输送带、第一传动带、第一电机和第二电机，所述外壳的顶部螺栓固定有连接壳，连接壳的后侧固定安装有延伸板，延伸板的内部安装有第一输送带，第一输送带的右侧连接有转向齿轮，转向齿轮与延伸板之间为转动连接，转向齿轮的表面安装有第一传动带，第一传动带右侧的内部啮合安装有转筒。本发明的有益效果是：该石墨烯芯片加工筛选方法，在现有的基础上进行改进，利用装置上的联动结构进行筛选的同时，进行自动出料和自动进料，还能对筛选的误差允许范围进行调节，提升了装置使用的便捷性和可调节性。