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本发明具体涉及一种掺杂稀土氧化物的Mo‑Si‑B合金,包括α‑Mo、Mo3Si、Mo5SiB2和稀土氧化物,α‑Mo的晶粒中,有10%‑25%为,60%‑70%为亚微米尺度,5%‑30%为纳米尺度,微米尺度的α‑Mo分布在亚微米或纳米尺度α‑Mo晶粒内;Mo3Si的晶粒和Mo5SiB2的晶粒均为亚微米尺度,且均分布在α‑Mo晶粒内;稀土氧化物,10‑30%为亚微米尺度和70‑90%为纳米尺度,且所述稀土氧化物颗粒分布于α‑Mo、Mo3Si和Mo5SiB2的晶内和晶界。本发明还涉及掺杂稀土氧化物的Mo‑Si‑B合金的制备方法,包括称取原料、球磨混合、机械合金化、高能球磨、在球磨混合,烧结等步骤,本发明的Mo‑Si‑B合金更具备优良的强度和断裂韧性;本发明的掺杂稀土氧化物的Mo‑Si‑B合金的制备方法,设备要求低,制备工艺简单,成本低,易于实现产业化生产。
📄 2017111654421 📂 C22C27_04 👤 西安理工大学 📅 2017-11-21
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发明 已授权

一种掺杂稀土氧化物的Mo-Si-B合金及其制备方法

2017111654421 · 西安理工大学
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
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钙钛矿光伏组件技术

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