专利名称：一种超导材料电流测试装置      申请号：2018102015175     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2025/04/14  
摘要： 本发明提供一种超导材料电流测试装置，包括盛装制冷剂使用的密封箱体，所述密封箱体内部设置有一个主支撑体，在主支撑体周向设置若干个竖向的滑槽，滑槽内安装有可由密封箱体顶部插入的绝缘基板，在绝缘基板上设置有超导带材；在所述密封箱体内部还设置有若干个触头控制箱，触头控制箱沿主支撑体外部周向设置并与滑槽相对应，在触头控制箱外部设置有四个导电柱，四个导电柱包括两个电流导电柱和两个电压导电柱，四个导电柱可通过触头控制箱内设置的控制机构调整各自在高度方向上的位置。本发明具有调整方便，测试效率高的优点。

专利名称：一种保证力学性能的超导带材封装装置      申请号：2022102276970     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：超导材料 抗磁体 电子电气   相似专利 发布日：2025/03/19  
摘要： 本发明提供了一种保证力学性能的超导带材封装装置，涉及超导材料技术领域，包括主体；所述主体的前端面中间上方固定并垂直连接固定板；所述固定板的底面滑动卡接移动装置；所述移动装置顶部固定设有升降器，底部设有连接块，当通过外部流水线控制器启动滑块在滑轨上移动后，带动移动装置左右移动调节位置，当带材传送至承托板的上方后，启动升降器带动推杆向下移动，推杆带动连接块向下移动，进而使得焊枪可以调节高度，以便精确点焊超导带材，利用承托板为点焊提供焊点支撑，使得焊带的焊点更牢固，并可以保证点焊的长度，从而使得超导带材焊接长度可以满足后期加工的力学性能需求，解决了现有装置焊接后难以保证带材的力学性能的问题。

专利名称：易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材及其制备方法      申请号：201610693174X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材及其制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块和液相源先驱块、压制第一固液隔离层和第二固液隔离层、压制Yb2O3支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤。本发明提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钇钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钇钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钇钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。

专利名称：易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法      申请号：2016106935609     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块、压制含有圆孔的液相源先驱块、压制Y2O3圆柱形支柱、压制Yb2O3支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤。本发明了提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钆钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钆钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钆钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。

专利名称：用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法      申请号：2009100240343     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法，由配制Gd2BaCuO5先驱粉、配制液相源粉、压制Gd2BaCuO5先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变液相块所用液相源粉的成分，使得整个熔渗生长过程仅需Gd2BaCuO5和BaCuO2两种先驱粉，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、节省了能源、提高了效率。采用了Yb2O3制备支撑块，在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

专利名称：单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法      申请号：2012105073565     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明涉及一种单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法，其采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变固相块和液相块所用的源粉成份，使得整个熔渗生长过程仅需制备BaCuO2一种粉，大大简化了制备先驱粉的环节、缩短了制备周期、降低了工艺成本、提高了效率，而且重复性好、易于定向生长，所制备样品的磁悬浮力大、临界电流密度高，本发明还采用了液相块的比固相块的直径相等或稍大的装配方法，有利于防止液相的流失、样品的坍塌以及有利于固相与液相的充分接触。

专利名称：单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法      申请号：2012100481040     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Y2BaCuO5先驱粉、配制液相源粉、压制Y2BaCuO5先驱块和液相块、压制支撑块、制备坯体、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过添加金属氧化物(Bi2O3粉体和WO3粉体)掺杂成功地引入了第二相纳米粒子Y2Ba4CuBiOx/Y2Ba4CuMOx(M为Bi、W)来形成磁通钉扎中心，简化了粉体制备的工艺、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了超导块材的磁通钉扎能力。采用了Y2O3制备支撑块，在钇钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钇钡铜氧超导块材，也可用于制备Gd、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

专利名称：单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法      申请号：2009100240362     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Gd₂BaCuO₅先驱粉、配制液相源粉、压制Gd₂BaCuO₅先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变液相块所用液相源粉的成分，使得熔渗生长过程仅需Gd₂BaCuO₅和BaCuO₂两种先驱粉，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、节省了能源、提高了效率。采用Y₂O₃制备液相源粉，提高了液相源粉的利用率，采用了Yb₂O₃制备支撑块，在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

专利名称：提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法      申请号：2013103040044     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔渗生长工艺（Top Seeded Metal Oxide Infiltration and Growth，简称TS-MOIG）制备单畴钇钡铜氧块材，将金属氧化物（Y2O3、BaO、CuO）在高温状态下直接熔化反应，省去了传统方法必须制备Y2BaCuO5、YBa2Cu3O7-x和Ba3Cu5O8三种粉体的过程，简化了操作步骤，缩短了制备周期，降低了生产成本，大大提高了工作效率，避免了上述三种粉体在多次操作中混入杂质，且环境污染小。另外，该方法通过在先驱粉体中加入去离子水，克服了在烧制块材时容易产生裂纹的缺点。本发明所制备的单畴钇钡铜氧超导块材磁悬浮力大，同时适用于Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材的制备。

专利名称：用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法      申请号：2012105072505     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明涉及一种用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其是通过改变固相块所用固相源粉和液相源粉的成份，使得整个熔渗生长过程仅需BaCuO2一种先驱粉，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了效率，而且本发明所制产品磁悬浮力大，采用了液相块的尺寸与固相先驱块的尺寸相比稍大或相等的装配方法，有利于防止液相的流失、样品的坍塌以及有利于固相与液相的充分接触，有利于晶体的生长，易于定向生长。

专利名称：基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法      申请号：2018100596179     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明公开了一种基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法，采用顶部籽晶熔渗生长法，通过具有浓度梯度的固相先驱块在径向上存在的温度梯度，使钆钡铜氧超导块材在生长的过程中有效地抑制了Gd/Ba替换，提高了材料的超导性能。本发明整个过程中仅需要固态反应制备BaCuO2粉，简化了实验环节，提高了制备效率，降低了制备成本，达到了制备大尺寸、高性能单畴钆钡铜氧超导块材的目的。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。