专利名称：一种超导材料电流测试装置      申请号：2018102015175     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2025/04/14  
摘要： 本发明提供一种超导材料电流测试装置，包括盛装制冷剂使用的密封箱体，所述密封箱体内部设置有一个主支撑体，在主支撑体周向设置若干个竖向的滑槽，滑槽内安装有可由密封箱体顶部插入的绝缘基板，在绝缘基板上设置有超导带材；在所述密封箱体内部还设置有若干个触头控制箱，触头控制箱沿主支撑体外部周向设置并与滑槽相对应，在触头控制箱外部设置有四个导电柱，四个导电柱包括两个电流导电柱和两个电压导电柱，四个导电柱可通过触头控制箱内设置的控制机构调整各自在高度方向上的位置。本发明具有调整方便，测试效率高的优点。

专利名称：单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法      申请号：2012100481040     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Y2BaCuO5先驱粉、配制液相源粉、压制Y2BaCuO5先驱块和液相块、压制支撑块、制备坯体、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过添加金属氧化物(Bi2O3粉体和WO3粉体)掺杂成功地引入了第二相纳米粒子Y2Ba4CuBiOx/Y2Ba4CuMOx(M为Bi、W)来形成磁通钉扎中心，简化了粉体制备的工艺、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了超导块材的磁通钉扎能力。采用了Y2O3制备支撑块，在钇钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钇钡铜氧超导块材，也可用于制备Gd、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

专利名称：用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法      申请号：2012105072505     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明涉及一种用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其是通过改变固相块所用固相源粉和液相源粉的成份，使得整个熔渗生长过程仅需BaCuO2一种先驱粉，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了效率，而且本发明所制产品磁悬浮力大，采用了液相块的尺寸与固相先驱块的尺寸相比稍大或相等的装配方法，有利于防止液相的流失、样品的坍塌以及有利于固相与液相的充分接触，有利于晶体的生长，易于定向生长。

专利名称：基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法      申请号：2018100596179     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：超导材料   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明公开了一种基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法，采用顶部籽晶熔渗生长法，通过具有浓度梯度的固相先驱块在径向上存在的温度梯度，使钆钡铜氧超导块材在生长的过程中有效地抑制了Gd/Ba替换，提高了材料的超导性能。本发明整个过程中仅需要固态反应制备BaCuO2粉，简化了实验环节，提高了制备效率，降低了制备成本，达到了制备大尺寸、高性能单畴钆钡铜氧超导块材的目的。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。