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本发明涉及一种铌酸钾改性的BT‑KBT基储能陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该铌酸钾改性的BT‑KBT基高储能密度陶瓷材料的配方为(1‑x)(0.92BaTiO3‑0.08(K1/2Bi1/2)TiO3)‑xKNbO3(x＝0.04‑0.10)，其制备过程包括以碳酸钡，碳酸钾，氧化铋，二氧化钛和五氧化二铌为原料，分别合成BT、KBT和KN陶瓷粉体，按照化学式经配料、球磨、干燥、压片、成型、烧结等工艺制备BT‑KBT基储能陶瓷材料。本发明采用固相法制备陶瓷材料具有成本低、产量大以及制备工艺简单等优点，为大规模、低成本制备新型高储能密度陶瓷材料提供了基础。

本发明公开了一种铌镁酸锶掺杂改性钛酸铋钠基储能陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域；该铌镁酸锶掺杂改性的钛酸铋钠基储能陶瓷材料的配方为：(1-x)(Bi0.5Na0.5)TiO3-xSr(Mg0.3334Nb0.6666)O3,(其中0≦x≦0.20)；本发明采用固相烧结法，按照化学计量式称取原料混合均匀形成全配料；将全配料依次进行球磨、烘干、研磨、过筛，形成过筛料；将过筛料压制成试样，并对试样进行烧结，成功制备出晶粒较小且致密均匀的储能陶瓷。本发明方法制得的储能陶瓷能够在较高的击穿场强(140KV/cm)下获得1.59J/cm3的可回收储能密度；且具有成本低、产量大、制备工艺简单及绿色环保等优点，有可能成为无铅储能电容器材料的重要候选材料。