咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
摘 要:本发明公开了低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法,通过对半导体薄膜两侧同时形成正负掺杂,当可重构电极对重构电荷存储层编程写入正电荷时,半导体两侧形成电子堆积区,使低导通电阻可重构计算芯片用晶体管工作在导带电子导通模式,当可重构电极对重构电荷存储层编程写入负电荷时,半导体两侧形成空穴堆积区,使低导通电阻可重构计算芯片用晶体管工作在价带空穴导通模式,实现对低导通电阻可重构计算芯片用晶体管导电类型的可编程操作。本发明同时公开了一种兼容于CMOS集成电路工艺技术的低导通电阻可重构计算芯片用晶体管的制造方法。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111012563.9 | 专利名称: | 低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法 |
申请日: | 2021-08-31 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 关键词: | 集成电路 相似专利 |
公开/公告日: | 2021-12-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113793871A | 交易状态: | 等待洽谈 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)与组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | 专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权未下证) | 专利证原件(若授权未下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |