专利名称：一种基于分数阶忆阻器的超混沌电路

申请号：202311624634X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子电路与系统 非线性动力学与混沌理论 神经形态计算硬件 物联网安全技术 忆阻器   相似专利 发布日：2025/11/16  

应用场景：高安全性加密通信系统；智能电网故障诊断与防护；脑机接口信号处理；工业控制系统抗干扰优化

专利名称：一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路

申请号：2024113900577     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子电路与系统 非线性动力学 神经形态计算硬件 信息存储技术 忆阻器   相似专利 发布日：2025/11/16  

应用场景：高密度低功耗类脑芯片设计;复杂环境下的信号处理装置;抗干扰记忆存储模块开发;自适应控制电路优化

专利名称：一种基于忆阻器的变遗忘速率电路

申请号：2024104231738     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件技术 集成电路设计 神经形态计算 非易失性存储器 忆阻器   相似专利 发布日：2025/11/16  

应用场景：类脑智能硬件加速系统；低功耗边缘计算设备；实时学习型传感器网络；高密度存算一体化芯片

专利名称：一种基于三次方忆阻器的复混沌系统数据加密方法

申请号：2021111934166     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子信息 计算机科学与技术 密码学 非线性动力学 人工智能安全 忆阻器   相似专利 发布日：2025/09/16  

应用场景：敏感数据传输加密（如金融交易、医疗健康信息）；物联网设备身份认证；云计算环境下的数据保护；区块链中的安全通信协议；军事与国防领域的机密信息传输

专利名称：基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法

申请号：2023109713978     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 忆阻器   相似专利 发布日：2025/08/22  
摘要： 本发明提出了一种基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法，实现步骤为：生成底电极；基于物理气相沉积和直流偏压在底电极上沉积氧化物功能层；获取制备结果。本发明通过设置放置衬底的载物台所加载的直流偏压的压值，并采用物理气相沉积在底电极上形成氧化物功能层，能够提高底电极表面金属氧化物中金属元素与氧元素的比例，在保证功能层内具有较高的氧空位缺陷浓度的前提下，避免了现有技术功能层的金属氧化物中包含的掺杂成分在高温处理过程中所存在的扩散问题而使忆阻器特性退化的缺陷，一方面能够实现与CMOS集成电路制造工序中的后端高温处理工艺较好的兼容，同时能够提升CMOS集成电路的性能。

专利名称：一种基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器及其制备方法

申请号：2022104218043     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：石墨烯 忆阻器   相似专利 发布日：2025/08/12  
摘要： 本发明属于数据存储技术领域，具体涉及一种基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器及其制备方法。基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器包括依次设置的导电基底层、第一氧化石墨烯层、吡啶盐薄膜层、第二氧化石墨烯层和金属电极层。本发明借助叠层结构功能层的巧妙设计，通过将吡啶盐薄膜作为缓冲层插入氧化石墨烯薄膜层中间，有效抑制了金属离子的不规则迁移和导电细丝的杂乱生长，诱导了氧化石墨烯忆阻器的稳定双向调谐和快速响应性能，实现了高性能人工突触的制备，在仿生和神经形态计算领域中具有极高的应用价值。

专利名称：一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统

申请号：2019104542933     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：计算机硬件 忆阻器   相似专利 发布日：2025/06/16  
摘要： 本发明公开一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，将压电传感器与忆阻器件相集成，使压力信号转变为电学信号，以此来驱动忆阻器件，完成数据的记录与存储。在压力发电片的输出端口设计保护电路，使外加的力学信号不至于将忆阻器件击穿。该智能数据存储系统工作时，不论记录、转换、擦除均不需再加外接电压。本发明开创性地将压电传感器与忆阻器集成为一个智能数据存储系统，由压电传感器与忆阻器相结合，并形成了初步应用，经过多次测试，系统稳定性较高，能适应多种环境，应用前景广阔。

专利名称：一种基于忆阻器的环形振荡器PUF电路及其使用方法

申请号：202211057814X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：教学教具 忆阻器   相似专利 发布日：2025/10/15  

应用场景：物联网设备身份认证;芯片防伪与安全加密;低功耗硬件安全系统

专利名称：一种基于分数阶忆阻器阵列的加权求和电路及其使用方法

申请号：2021106705364     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：计算机硬件 忆阻器   相似专利 发布日：2025/10/15  

应用场景：神经网络推理加速;物联网边缘计算;低功耗信号处理

专利名称：一种基于忆阻器的多功能PUF电路及其使用方法

申请号：2022114131864     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：教学教具 忆阻器   相似专利 发布日：2025/10/15  

应用场景：物联网设备身份认证;芯片防伪与安全加密;低功耗硬件安全模块

专利名称：一种忆阻器仿真模型

申请号：2020104346413     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体器件建模 电路仿真技术 人工智能硬件基础 忆阻器   相似专利 发布日：2025/10/09  

应用场景：集成电路设计验证；神经网络硬件加速；非易失性存储器件研发；芯片功耗优化仿真

专利名称：一种卟啉忆阻器及其制备方法

申请号：2016111863371     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 忆阻器   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括氧化物缓冲层，以提供离子源。本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法，包括以下步骤：首先制备所述阳极，然后在阳极上制备阻变层，随后在阻变层上制备阴极，氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成，以提高所述阻变层的质量，保证含氧量低于整数比。本发明具有具有适合柔性器件、可以实现大面积、低成本制作等优点。本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到，具有易于设计，工艺简单，器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。

专利名称：一种阈值型忆阻器电路仿真器

申请号：2019109048865     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：计算机硬件 忆阻器   相似专利 发布日：2025/02/06  
摘要： 本发明公开了一种阈值型忆阻器电路仿真器，其两端经过由运算放大器组成的电压跟随器，用来隔离后边电路，两路电压经过差分电路输出，实现了忆阻器电路模型端电压的采集，差分电路的输出信号输入至由两只二极管反向并联组成的阈值电路，差分电路、阈值电路和反相比例电路共同构成了具有调节功能的阈值电路，通过改变差分电路和反相比例电路的比例电阻即可实现阈值调节。幅值超过阈值电路的电压信号进入反相积分电路和加法电路输出与忆导值成比例的电压信号，该信号与差分电路的输出信号经过乘法器后可输出与流经忆阻器的电流成正比的电压信号，最后采用两只电流传输器将该电压信号转化为电流信号，同时也保证忆阻器两端的电流是相等的。

专利名称：一种浮地型分数阶忆阻器的等效电路及其使用方法（高校需2次变更）

申请号：2018111677856     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 忆阻器   相似专利 发布日：2025/08/26  
摘要： 本发明涉及一种浮地型分数阶忆阻器的等效电路及其使用方法。其技术方案是：浮地型分数阶忆阻器的等效电路施加激励电压v(t)后通过放大模块(8)、压控移相器(6)、频率/电压转换器(23)等23个模块的作用，能精确模拟分数阶忆阻器的电气特性且精度高，同时能保证通过浮地型分数阶忆阻器的等效电路的端子A和端子D的电流相等；引入的分数阶忆阻器阶次的控制信号α＇能改变分数阶忆阻器的阶次，引入的分数阶忆阻器状态变量初始值的控制信号x0＇能改变分数阶忆阻器状态变量的初始值。浮地型分数阶忆阻器的等效电路的分数阶阶次和分数阶忆阻器状态变量初始值调整方便和易于控制，使用时等效电路的端子A和端子D都能与其他电路中的元件进行任意连接。

专利名称：一种基于HP忆阻器与电容器的基本单元混沌电路

申请号：2018100478740     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子设备和元器件 HP 混沌电路 忆阻器   相似专利 发布日：2025/06/13  
摘要： 本发明请求保护一种基于HP忆阻器与电容器(MC)基本单元混沌电路，其中包括HP忆阻器与电容器分别串联和并联的两种基本单元电路，首先证明了该两种电路为等效电路；然后以其中一种电路(MC并联电路)为研究对象，给电路输出叠加的周期激励信号，电路将产生混沌信号，分析其电路的复杂动力学行为，并分析各个参数对混沌电路的影响；最后根据电路进行仿真，得出忆阻器与电容器分别串联和并联的两种基本单元电路波形，证实本发明的可行性。该方法实现简单，元器件少，参数调节较少，能够满足电路模型与设计等领域应用需求，适用于需要产生混沌信号等情况。

专利名称：一种分数阶忆阻器的等效电路

申请号：2018101939509     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电路元器件 物理模拟实验 忆阻器   相似专利 发布日：2025/09/22  

应用场景：模拟分数阶忆阻器特性；神经网络硬件实现；信号处理与系统建模