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摘 要:本发明提供了一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法,属于功能材料领域。通过将多晶硅粉末与磷粉末按比例混合均匀,压片、真空烧结制得硅靶材,将硅靶材和石英玻璃基片放入真空系统中,采用激光溅射沉积的方法制备出磷掺杂多晶硅薄膜。本发明获得的磷掺杂多晶硅薄膜,其横向应变系数绝对值的最大值可达24.3;横向应变系数的非线性在1-2.5%之间,比现有的多晶硅薄膜降低了0.5%;采用本发明方法可以使多晶硅薄膜掺杂均匀、平整度高、致密性好且控制晶粒尺寸范围为0.1μm~0.5μm;本发明制备方法简单、成本低、可控性强,为多晶硅薄膜领域拓展了新思路。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510353648.1 | 专利名称: | 一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2015-06-24 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 关键词: | 塑料 多晶硅 相似专利 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)与组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | 专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权未下证) | 专利证原件(若授权未下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/06/30 | 授权 | |
2015/10/14 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 14/14 专利申请号: 201510353648.1 申请日: 2015.06.24 |
2015/09/16 | 公开 |