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摘 要:本发明提供了一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法,该方法为:选取多晶硅粉末及磷粉末为原料,石墨片为蒸发源,k9玻璃片为基板,将原料、蒸发源和前处理后的基板放置于真空镀膜机中蒸镀,设定基板与原料间距离为130~150cm,基板温度100~300℃;将蒸镀后所得到的样品放入真空退火炉中在550℃温度下退火2h,用铝标准腐蚀液对所得样品进行表面腐蚀,得到多晶硅薄膜。本发明的多晶硅薄膜平整度高、晶粒尺寸均匀性好、晶化率高可达94.95%,本发明所需原料价格低廉、储量丰富,制备的合金薄膜力学性能好、制备工艺简单,易于工业化生产。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510474064.X | 专利名称: | 一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法 |
申请日: | 2015-08-05 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 关键词: | 塑料 多晶硅 相似专利 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 |
交易方 | 企业 | 个人 |
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日期 | 法律信息 | 备注 |